半导体分立器件分类、静态参数及测量是什么？

根据半导体分立器件的功能与结构差异，可将其分为以下核心类别，各类型典型器件及应用场景如下：

‌一、基础二极管类‌

‌类型‌	‌代表器件‌	‌核心功能‌	‌典型应用‌
‌整流二极管‌	1N4007系列	交流转直流（单向导电）	电源适配器、充电电路
‌稳压二极管‌	Zener系列	电压钳位保护	电路过压保护（如TVS管）
‌肖特基二极管‌	BAT54系列	低压降、高速开关（VF＜0.3V）	高频开关电源、太阳能逆变器6
‌变容二极管‌	BBY系列	电容值随电压变化	调频电路、压控振荡器

‌二、晶体管类‌

‌功能特性‌：

BJT：电流放大（HFE参数）

MOSFET：电压控制开关（低RDS(on)）

IGBT：高压大电流开关（汽车电驱核心）

‌三、功率控制器件‌

‌晶闸管家族‌：

‌单向可控硅（SCR）‌：整流调压（如BT151）

‌双向可控硅（TRIAC）‌：交流相位控制（照明调光）

‌门极可关断晶闸管（GTO）‌：兆瓦级功率切换（工业变频）

‌整流桥堆‌：

GBJ系列整流桥（集成多二极管）

‌四、特种器件与传感器‌

‌类别‌	‌器件示例‌	‌功能特性‌
‌光电器件‌	光耦（PC817）	电→光→电隔离信号传输
‌磁敏器件‌	霍尔传感器	磁场强度检测（电机转速监控）
‌压敏/温敏器件‌	压敏电阻（MOV）	过电压吸收、温度监控
‌射频器件‌	PIN二极管	微波信号衰减/切换

‌五、第三代半导体器件‌

‌SiC基器件‌：

SiC MOSFET（1700V耐压，电动汽车主驱）

SiC Schottky二极管（高频低损耗）

‌GaN基器件‌：

GaN HEMT（＞100MHz开关，手机快充）

六、核心静态参数测量方法‌

‌1. 基础电参数‌

‌参数‌	‌测量方法‌	‌关键设备‌
‌阈值电压‌	逐步增加栅极电压，监测漏极电流达到特定值（如1mA）时的电压	SMU（源测量单元）
‌击穿电压‌	反向施加阶梯电压，限定电流阈值（如1mA）作为击穿点	高压源表（限流模式）
‌漏电流‌	反向偏置下用高精度电流表（pA级）测量漏源极/集电极电流，引脚浮空时需接地降噪	皮安表+屏蔽箱
‌导通压降‌	在饱和电流下直接测量器件两端压降（BJT测V	四线制开尔文连接

‌2. 热相关参数‌

‌参数‌	‌测量方案‌
‌最大功耗‌	逐步增加功率负载至器件失效，记录临界值（需配合散热器）
‌热阻	测量结温与环境温度差值

‌七、关键测试技术‌

‌抗自热干扰‌

大电流测试使用‌脉冲法‌（脉宽≤100μs）替代直流，避免温升影响精度

示例：测IGBT时，脉冲电流可缩短至10ms内

‌高精度连接‌

低阻参数必须采用‌四线开尔文法‌消除引线误差

‌安全防护‌

高压测试（＞100V）需设置电流钳位（如1mA）并启用高压警示区

稳压管测试时串联限流电阻防烧毁

西安中昊芯测的SC2010半导体分立器件测试系统是国内自主研发的高端测试设备，完美替代美国STI5000系列测试机。该系统具有以下核心优势：

精准测试能力：

采用ATE系统逐点建立I-V特性曲线

测试精度高达0.2%+2LSB

支持6~20ms快速测试，百点曲线仅需数秒

智能化功能：

支持自动生成功率器件I-V曲线

可定制功能测试方案

数据可导出为Excel/Word格式

安全防护系统：

集成过电保护功能

门极过电保护适配器

内置自诊断测试代码

便捷操作体验：

USB/RS232双接口连接

图形化人机交互界面

570×450×280mm紧凑设计

审核编辑 黄宇